Использование магнитного гистерезиса при контроле объектов из электропроводящих материалов в импульсных магнитных полях

Павлюченко В.В. , Дорошевич Е.С.

Аннотация


Приведены распределения электрического напряжения U ( t ), снимаемого с индукционной магнитной головки при сканировании ею дискретного магнитного носителя с записями остаточных магнитных полей, полученных при воздействии на магнитный носитель с контролируемым объектом импульсным магнитным полем с выбросами разной полярности. Возникновение упорядоченных распределений остаточных магнитных полей на магнитном носителе в результате последовательного воздействия на него импульсами магнитного поля названо гистерезисной интерференцией импульсного магнитного поля ( HI ). Описаны схема экспериментальной установки для исследования распространения импульсных магнитных полей, а также способы контроля объектов из электропроводящих и магнитных материалов, повышающие точность определения их удельной электропроводности s, магнитной проницаемости m, однородности распределения s и m, толщины и параметров дефектов сплошности в них.

Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.